삼성전자가 12나노급 공정(5세대 10나노급 공정)으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램 양산을 시작했다.

삼성전자 12나노급 D램은 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상되었고 소비 전력은 약 23% 개선됐다. 따라서 데이터센터처럼 수많은 D램이 사용되는 곳에서 전기 요금을 절감하고 탄소 배출과 에너지 낭비를 줄이는 효과를 낼 수 있다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor) 용량을 늘렸다. D램은 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분하는데 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 구분이 명확해지고 확실하게 구분되어 오류가 발생하지 않는다. 이와 함께 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술도 적용되었다.

DDR5 규격 12나노급 D램의 최고 동작 속도는 7.2Gbps(Gigabit per second, 초당 전송되는 기가비트 데이터)이다. 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터 · 인공지능 · 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다."라며, "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속적으로 선도해 나갈 것이다."라고 말했다.