삼성전자가 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산에 돌입했다.

삼성전자의 1Tb 8세대 V낸드는 TLC(Triple Level Cell, 트리플 레벨 셀, 셀 하나에 데이터를 3비트 기록) 방식으로 제조되며, 비트 밀도(Bit density, 단위 면적당 저장되는 비트 수)가 기존 V낸드보다 높다. 따라서 향후 SSD나 USB 메모리, 메모리카드 등 다양한 낸드 플래시 제품들의 저장 용량이 8세대 V낸드를 통해 지금보다 더 증대될 수 있다.

8세대 V낸드는 최신 낸드 플래시 인터페이스 'Toggle DDR 5.0'이 적용되었고 최대 데이터 입출력 속도는 2.4Gbps(초당 기가비트)이다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상된 성능이다.

또한 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며 향후 PCIe 5.0까지 지원될 것이다. 삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하고 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀 나갈 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 플래시(Flash) 개발실 허성회 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다."라며, "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것이다."라고 말했다.