삼성전자가 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드를 양산한다.

이번 1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)의 고용량제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다고 밝혔다.

더불어 8세대에 적용된 V낸드에는 최신 낸드플레시 인터페이스 Toggle DDR 5.0을 적용해 최대 2.4Gbps 데이터 입출력 속도로 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다고 덧붙였다. 

8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원은 물론, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다. 이를 통해 차세대 엔터프라이즈 서버 시장 고용량화와 함께 동시에 높은 신뢰성과 자동차 시장까지 사업 영역을 넓힐 계획이라 강조했다.

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"며, "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 밝혔다.

앞서 삼성전자는 지난 8월 '플래시 메모리 서밋'과 10월 '삼성 테크 데이'에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다.