삼성전자가 5세대 10나노급 공정인 12나노급 공정을 기반으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발하고 AMD와 호환 검증을 마쳤다

이번 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 20% 향상됐으며 최대 동작속도는 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

그뿐만 아니라 이전 세대 제품대비 소비 전력이 23% 개선됐으며, 이를 통해 기후 위기에 동참 및 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에 공급할 예정이라고 밝혔다.

신제품에 개선된 점은 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor) 용량을 높이고, 회로 특정 개선 설계를 적용했다고 강조했다. 또 멀티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 집적도가 업계 최고 수준이라 강조했다.

더불어 2023년 양산과 함께 AMD의 ZEN 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화했으며 AMD 조 매크리 최고기술책임자(CTO)는 "기술의 한계를 뛰어 넘는 혁신을 위해서는 업계간 파트너간 긴밀한 협력이 필요하다며 삼성과 협력해 기쁘다"고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며, "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 말했다.