PC는 흔히 PC 메모리라고 부르는 램(RAM, Random Access Memory)의 성능이 높아질수록 전반적인 성능이 향상된다. 그로 인해 고성능 PC를 구성하려는 사람들은 가능한 클럭이 높고 저장 용량이 많은 램을 구매하려고 한다.

다만 램은 성능 못지 않게 안전성도 중요하다. 일부 제품은 CPU나 메인보드 종류에 따라 제대로 작동하지 않고 오류가 발생할 수 있는데 그런 제품은 아무리 클럭과 저장 용량 면에서 뛰어나도 사용자에게 환영받지 못한다. 믿고 사용할 수 없기 때문이다.

그래서 시장에서는 안전성이 높다고 인정받는 삼성전자나 SK하이닉스의 램이 오랫동안 대중적인 인기를 끌고 있다. 다만 두 기업 모두 고성능 램을 따로 판매하지는 않고 있어서 성능도 중요하게 여기는 이들은 어쩔 수 없이 다른 기업의 제품을 선택할 수밖에 없었다.

다행스럽게도 소비자들은 ‘에센코어’(ESSENCORE Limited)가 출범하면서 그런 딜레마에서 벗어날 수 있게 되었다. SK주식회사의 해외 자회사인 에센코어는 SK하이닉스의 메모리를 사용해 다양한 메모리 제품을 제조해 판매하는 기업이다.

소비자들에게는 ‘클레브’(KLEVV)라는 자체 브랜드로 이름이 알려져 있는데 이번 기사에서는 그 중 최신 제품인 ‘ESSENCORE KLEVV DDR5-6000 CL30 BOLT V’(이하 클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V)의 특징을 살펴보겠다.

에센코어는 홍콩에 본사를 둔 기업으로 2013년부터 SK하이닉스의 메모리로 다양한 제품을 제조하여 선보이고 있다. 클레브 브랜드의 주력 제품으로는 램, SSD, USB 메모리, 마이크로 SD카드 등이 있는데 램 제품 중에서는 표준보다 클럭을 높여서 고성능을 발휘하는 오버클럭 메모리도 있다. 오버클럭 메모리와 방열판(히트싱크)이 부착된 고급형 램 제품들은 올해 9월부터 서린씨앤아이를 통해 국내 시장에 공식 유통되고 있다.

SK하이닉스로부터 메모리를 공급받아 램 제품을 생산하는 제조사도 다수 존재하지만 각 기업의 상황에 따라 메모리가 변경되기도 하는데, 클레브 브랜드는 그런 일 없이 항상 SK하이닉스의 메모리를 사용하므로 일정한 품질이 유지되는 것을 기대할 수 있다.

고급형 램 제품은 방열판과 RGB LED가 조합된 CRAS 시리즈와 방열판만 적용된 BOLT 시리즈 두 가지로 나뉜다. CRAS 시리즈는 LED 조명으로 PC 튜닝 효과를 체감하려는 경우 유용하고, BOLT 시리즈는 높이가 낮고 두께가 얇은 LP(Low Profile)형 방열판이 사용되어서 크기가 아담하다.

한편 클레브 제품들은 디자인 면에서도 높은 평가를 받고 있다. 세계적으로 인정받는 레드닷 디자인 어워드(Red dot Design Award)에서 램과 외장 SSD 제품으로 네 차례(2015년, 2019년, 2021년, 2022년) 수상하여 디자인 면에서도 우수하다는 것을 입증한 바 있다.

클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V는 메모리 작동 시 발생하는 열을 빠르게 공기 중으로 확산할 수 있도록 기판에 알루미늄 재질 방열판이 부착되어 있다. 방열판에 RGB LED 조명이 내장되지 않아서 높이는 34mm에 불과하므로 타워형 공랭 CPU 쿨러 방열판과 부딪히는 간섭 현상을 걱정하지 않아도 된다.

클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V의 크기는 137.8 x 34 x 8mm(길이 x 높이 x 두께)이다. 메모리가 장착된 PCB는 데이터 전송 속도를 높이고 열 차단 효과를 제공하기 위해 10층(레이어) 구조로 구성되었다.

또한 에이수스(ASUS), 기가바이트(GIGABYTE), 애즈락(ASRock), MSI 등 주요 메인보드 제조사들의 QVL(Qualified Vendors List, 적합한 공급사 목록) 테스트를 통과해 대다수 메인보드들과 호환성도 보장된다.

클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V는 ‘인텔 XMP(eXtreme Memory Profile) 3.0’ 기술과 ‘AMD EXPO’(EXtended Profiles for Overclocking) 기술로 간편하게 오버클럭할 수 있다.

XMP 3.0과 EXPO는 메모리 제조사가 직접 안전성을 검증한 오버클럭 설정값을 메모리 내부에 저장하여 사용자가 메인보드 바이오스(BIOS)에서 XMP 3.0이나 EXPO 설정을 켜면 자동으로 오버클럭 가능한 것이 특징이다.

XMP 3.0이나 EXPO로 클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V를 오버클럭하기 위해서는 메인보드의 바이오스 화면으로 진입해 해당하는 기술을 활성화해야 한다. 인텔 CPU용 메인보드는 XMP 3.0, AMD CPU용 메인보드는 EXPO 항목이 제공된다.

에이수스 메인보드는 바이오스 첫 화면에서 F7 키를 눌러서 고급 모드(Advanced Mode)로 전환해 ‘Ai Tweaker’ 항목으로 이동하면 ‘Ai Overclock Tuner’를 선택해 XMP 3.0이나 EXPO를 활성화할 수 있다.

참고로 에이수스 메인보드에서는 선택할 수 있는 EXPO 기술이 ‘EXPO Ⅰ’, ‘EXPO Ⅱ’, ‘EXPO Tweaked’ 등 세 가지이다. EXPO Ⅰ에서는 메모리에 저장된 오버클럭 설정값을 불러온 다음 메인보드가 최적화를 시키고 EXPO Ⅱ에서는 메모리에 저장된 오버클럭 설정값을 불러와 그대로 적용한다. EXPO Tweaked에서는 메모리에 저장된 오버클럭 설정값을 불러오고 세부 설정을 한계치까지 조절해 메모리를 오버클럭한다.

메모리 제조사가 검증한 설정값만 이용하는 EXPO Ⅱ를 선택하는 것이 무난하다. XMP 3.0 역시 같은 방식으로 선택 가능한 항목이 표시된다.

EXPO를 활성화한 후 작업 관리자를 통해 메모리 정보를 확인하면 6000MHz로 오버클럭된 것을 확인할 수 있다.

오버클럭 적용 시 클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V의 성능이 얼마나 높아지는지 확인하기 위해 SiS소프트웨어 산드라 라이트 2021(SiSsoftware Sandra Lite 2021)을 사용하여 메모리 대역폭을 측정했다.

측정 결과 메모리 대역폭은 기본 클럭인 DDR5-4800MHz에서 48.67GB/s(초당 기가바이트)로 나왔고 오버클럭 시에는 56.64GB/s로 나왔다. 오버클럭을 통해 메모리 대역폭이 약 16% 높아진 것이다.

대개 오버클럭 메모리는 고성능을 요구하는 PC 게임을 쾌적하게 즐기기 위해 사용된다. 그에 따라 ‘칼리스토 프로토콜’, ‘바이오하자드 RE:4’, ‘배틀그라운드’, ‘오버워치 2’ 등 네 가지 게임을 통해 클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V의 기본 클럭과 오버클럭 시 성능 차이를 비교했다.

각 게임은 1920x1080(FHD) 해상도에서 그래픽 옵션을 ‘높음’(바이오하자드 RE:4는 ‘성능 우선’)으로 맞추고 MSI 애프터버너(Afterburner)나 내부 벤치마크를 이용해 평균 FPS(초당 프레임)를 측정했다. 테스트 시스템의 CPU는 AMD 라이젠 5 7600, 그래픽카드는 NVIDIA 지포스 RTX 3070 파운더스 에디션이다.

테스트 결과 모든 게임은 메모리 오버클럭 시 평균 FPS가 기본 클럭보다 3~4% 정도 더 높게 측정되었다. 간단한 방법으로 전반적인 게임 성능을 높일 수 있기 때문에 조금이라도 더 높은 게임 성능을 원하는 경우 도움이 된다.

지금까지 클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V를 살펴보았다. SK하이닉스의 메모리가 사용되어서 기본적인 품질을 믿을 수 있고 깔끔한 디자인으로 설계되었으며, XMP 3.0이나 EXPO 기술로 간단하게 오버클럭할 수 있어서 고성능 램을 원하는 이들에게 어울리는 제품이다.

오버클럭 메모리 구매 시 충분한 안전성과 성능, 디자인 등 여러 가지 요소를 놓칠 수 없는 소비자라면 클레브 DDR5-6000 CL30 볼트 V를 꼭 한번 살펴보기를 추천한다.